Samsung stellt HBM4E-Speicher mit mehreren Stapeloptionen vor
Samsung soll Hochbandbreiten-Speicher mit unterschiedlichen Dichten und Produktionsplänen einführen.
Laut Berichten hat Samsung sein neuestes High Bandwidth Memory (HBM)-Produkt, den HBM4E, vorgestellt. Das Unternehmen bietet den Speicher in einer 12-Lagen-Konfiguration mit einer Dichte von 48 GB pro Stapel an. Weitere Optionen sollen 8-Lagen-Stapel mit 32 GB und 16-Lagen-Stapel mit 64 GB umfassen.
Samsung hat seit Mai Muster verteilt, wobei die Gesamtproduktionsmenge voraussichtlich etwa 20 000 Wafer pro Monat im Jahr 2026 erreichen wird, steigern sich auf 50 000 Wafer pro Monat im Jahr 2027. Das Unternehmen hat angeblich die Hälfte seiner 4‑nm‑SF4‑Node-Produktion dem HBM4E-Basischip gewidmet.
Samsung verweigerte eine Bestätigung des Berichts und erklärte, es könne nicht bestätigen, ob die HBM4E-Qualifikation abgeschlossen sei.
Die wichtigsten Fakten
- 12-Lagen-HBM4E-Konfiguration mit 48 GB pro Stapel
- Produktion soll bis 2027 50 000 Wafer/Monat erreichen
- Muster seit Mai verteilt
Quellen
- WccftechSamsung’s 12-Hi HBM4E Reportedly Passes NVIDIA Qualification, Paving Way For Next-Gen AI GPU Supply
- TechPowerUpSamsung HBM4E Passes Testing for NVIDIA's "Rubin Ultra" GPU
