Samsung dévoile la mémoire HBM4E avec plusieurs options de pile
Samsung aurait introduit une mémoire à large bande passante avec des densités variables et des plans de production.
Selon les rapports, Samsung a présenté son dernier produit de mémoire à large bande passante (HBM), le HBM4E. L'entreprise propose la mémoire en configuration de 12 couches avec une densité de 48 GB par pile. Des options supplémentaires devraient inclure des piles de 8 couches avec 32 GB et des piles de 16 couches avec 64 GB.
Samsung a distribué des échantillons depuis mai, avec une production totale attendue d'environ 20 000 plaquettes par mois en 2026, passant à 50 000 plaquettes par mois en 2027. L'entreprise aurait dédié la moitié de sa production du nœud SF4 de 4 nm au fabrication des die de base HBM4E.
Samsung a refusé de vérifier le rapport, affirmant ne pouvoir confirmer si la qualification HBM4E avait été complétée.
L’essentiel
- Configuration HBM4E à 12 couches avec 48 GB par pile
- Production attendue d'environ 50 000 plaquettes/mois d'ici 2027
- Échantillons distribués depuis mai
Sources
- WccftechSamsung’s 12-Hi HBM4E Reportedly Passes NVIDIA Qualification, Paving Way For Next-Gen AI GPU Supply
- TechPowerUpSamsung HBM4E Passes Testing for NVIDIA's "Rubin Ultra" GPU
