Samsung presenta memoria HBM4E con múltiples opciones de apilamiento
Se informa que Samsung introduce memoria de alta velocidad con distintas densidades y planes de producción.
Según informes, Samsung ha presentado su último producto de Memoria de Alta Velocidad (HBM), el HBM4E. La compañía ofrece la memoria en una configuración de 12 capas con una densidad de 48 GB por pila. Se espera que las opciones adicionales incluyan pilas de 8 capas con 32 GB y pilas de 16 capas con 64 GB.
Samsung ha distribuido muestras desde mayo, con una producción total prevista para alcanzar alrededor de 20 000 obleas por mes en 2026, aumentando a 50 000 obleas por mes en 2027. La compañía ha dedicado la mitad de su producción del nodo SF4 de 4 nm al fabricación de la base HBM4E.
Samsung se negó a verificar el informe, indicando que no podía confirmar si la calificación del HBM4E había sido completada.
Datos clave
- Configuración HBM4E de 12 capas con 48 GB por pila
- Producción prevista para alcanzar 50 000 obleas/mes en 2027
- Muestras distribuidas desde mayo
Fuentes
- WccftechSamsung’s 12-Hi HBM4E Reportedly Passes NVIDIA Qualification, Paving Way For Next-Gen AI GPU Supply
- TechPowerUpSamsung HBM4E Passes Testing for NVIDIA's "Rubin Ultra" GPU
