Samsung ogłasza pamięć HBM4E z wieloma opcjami stosów
Według doniesień Samsung wprowadza pamięć o wysokiej przepustowości z różnymi gęstościami i planami produkcji.
Zgodnie z raportami, Samsung zaprezentował swój najnowszy produkt High Bandwidth Memory (HBM), HBM4E. Firma oferuje pamięć w konfiguracji 12‑warstwowej o gęstości 48 GB na stos. Dodatkowe opcje mają obejmować stosy 8‑warstwowe z 32 GB oraz 16‑warstwowe z 64 GB.
Samsung rozpowszechnił próbki od maja, a całkowita produkcja masowa ma osiągnąć około 20 000 wafli na miesiąc w 2026 roku, zwiększając się do 50 000 wafli miesięcznie w 2027 roku. Firma przydzieliła połowę swojej produkcji węzła SF4 o rozmiarze 4 nm do produkcji bazowego die HBM4E.
Samsung odmówił potwierdzenia raportu, twierdząc, że nie może stwierdzić, czy kwalifikacja HBM4E została zakończona.
Najważniejsze fakty
- Konfiguracja 12‑warstwowa HBM4E z 48 GB na stos
- Produkcja ma osiągnąć 50 000 wafli/miesiąc do 2027 roku
- Próbki rozpowszechnione od maja
Źródła
- WccftechSamsung’s 12-Hi HBM4E Reportedly Passes NVIDIA Qualification, Paving Way For Next-Gen AI GPU Supply
- TechPowerUpSamsung HBM4E Passes Testing for NVIDIA's "Rubin Ultra" GPU
